PECVD利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可以生長a-Si、SiOx、SiNx等材料半導(dǎo)體納米薄膜。捷造的PECVD技術(shù)應(yīng)用于范圍從6英寸到12英寸的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，300mmx300mm到1200x1200mm的中試設(shè)備，以及產(chǎn)能500MW-750MW的生產(chǎn)型設(shè)備。
Learn more
CBV系列型智能流導(dǎo)控制閥是泵端壓力控制系統(tǒng)的核心單元，集成了蝶形流導(dǎo)閥門、測量電路、閉環(huán)控制器、通信和閥門驅(qū)動(dòng)電路。控制器內(nèi)置控制算法和高速驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以使系統(tǒng)壓力快速達(dá)到設(shè)定值，并且具有最小的超調(diào)量。控制器帶有學(xué)習(xí)算法，可以使閥門適應(yīng)多種復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境。
Learn more
采用低損傷濺射技術(shù)、離子源離子輔助沉積、共蒸發(fā)等物理氣相沉積(PVD)技術(shù)，應(yīng)用于光伏半導(dǎo)體TCO電極、鈣鈦礦材料沉積，捷造的PVD技術(shù)涵蓋實(shí)驗(yàn)室、中試和產(chǎn)線技術(shù)應(yīng)用。
Learn more捷造的專用核心部件和儀器，廣泛應(yīng)用于光伏和半導(dǎo)體設(shè)備，用于解決工藝制程中核心操作，這些部件包含等離子體發(fā)生、濺射陰極、蒸發(fā)源、壓力控制閥、門閥、真空機(jī)械手、膜厚測量儀等。
空心陰極和熱陰極離子源，最大電流50-150A，中低壓工作電壓，可用于離子束加熱、反應(yīng)離子輔助沉積等工藝制程
Learn more
安裝于標(biāo)準(zhǔn)450平臺(tái)的的多蒸發(fā)源共沉積模塊，2-6個(gè)獨(dú)立蒸發(fā)源，獨(dú)立氣動(dòng)擋板，直流閉環(huán)電流控制。用于OLED/鈣鈦礦材料研究。
Learn more