北京捷造光電技術有限公司
JPE系列PECVD
單室/多室全自動PECVD平臺，工件6-12英寸標準硅片，集成氣路柜、真空機械手傳輸、氮氣封閉環境片盒。
特 性
特征描述
- 最大12英寸的RF/VHF-PECVD，利用等離子體化學氣相沉積過程，在12英寸工件表面沉積微電子器件用的薄膜，可沉積非晶硅、微晶硅、氧化硅、或硅的氮氧化物等薄膜，多工位全自動操作，多路氣源選項，廣泛應用于半導體、光伏等領域科研研究和中試生產。
- 帶內置熱壁的升降地電極，可控制氣流分布、局域等離子體放電范圍、提高沉積均勻性
- 全自動雙面多片連續沉積
參 數
JPE12S4 四工位3工藝室12英寸全自動PECVD
| 名稱 | 描述 | 數量 |
|---|---|---|
| 工藝腔室 | 全鋁真空室，自動翻蓋，上噴淋電極，下電極可升降，帶內置熱壁 | 3 |
| 加熱緩沖室 | 鋁腔室，可加熱350℃，可緩存一片工件 | 1 |
| 工件 | 最大有效尺寸不小于12" | 片盒可緩存5-10片 |
| 加熱溫度 | 地電極和可調節熱壁，350℃ | |
| 電極間距 | 8-28 | |
| RF/VHF電源 | 13.56MHz/40.68MHz | 3 |
| 特氣柜 | 工藝腔MFC 5-6-6路，兩通道進工藝腔 | 3 |
| 壓力控制 | 薄膜規+變通導閥，穩定壓力0.1-10Torr | 3 |
| 極限真空 | ≤3×10-4Pa | |
| 工件翻面 | 大氣環境全自動機械手操作 | 1 |
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圖片
JEP12S4
